دکتر آرش دقیقی
دکتر آرش دقیقی
Dr. Arash Daghighi
دانشیار مهندسی برق (الکترونیک، مخابرات) دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرکرد
اطلاعات فوق آخرین داده هایی است که توسط مجموعه سیویلیکا برای مشخصات ایشان ثبت شده است.
ساختار اجرایی و هیات علمی کنفرانسها، ژورنالها و مجلات تخصصی ایران
دکتر آرش دقیقی
Dr. Arash Daghighi
دانشیار مهندسی برق (الکترونیک، مخابرات) دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شهرکرد
اطلاعات فوق آخرین داده هایی است که توسط مجموعه سیویلیکا برای مشخصات ایشان ثبت شده است.
لیست مقالات زیر به صورت خودکار بر اساس نام و نام خانوادگی از مجموعه مقالات نمایه شده در پایگاه سیویلیکا استخراج شده است و ممکن است به دلیل تشابه اسمی، دقیق نباشد.
مقالات ژورنالی| ردیف | عنوان مقاله | ژورنال منتشر شده | شماره و دوره |
|---|---|---|---|
| 1 | A Novel Silicon on Diamond Structure to Improve Drain Induced Barrier Lowering (دریافت مقاله) | مجله مهندسی برق مجلسی | دوره: 7، شماره: 1 |
| 2 | An Investigation in the I-gate Body Contact for Partially Depleted SOI MOSFET (دریافت مقاله) | مجله مهندسی برق مجلسی | دوره: 8، شماره: 1 |
| 3 | استخراج مدل مداری نزدیک به ولتاژ آستانه برای افزاره های سیلیکون بر روی الماس با عایق دو لایه به منظور محاسبه ولتاژ آستانه (دریافت مقاله) | فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران | دوره: 21، شماره: 1 |
| 4 | Body Current Optimization Using Threshold-Voltage-Adjust-Implant Engineering in ۴۵nm SOI MOSFET (دریافت مقاله) | مجله مهندسی برق مجلسی | دوره: 15، شماره: 4 |
| 5 | Crosstalk Enhancement in ۳۲ nm FD SOI MOSFET using HR Substrate and Multilayer BOX (دریافت مقاله) | مجله مهندسی برق مجلسی | دوره: 5، شماره: 2 |
| 6 | Experimental PI Fuzzy Controller to Control Pinch-roll Pressure via Hydraulic servo-valves in Continuous Casting Machines in Mobarakeh Steel Company (دریافت مقاله) | مجله مهندسی برق مجلسی | دوره: 14، شماره: 3 |
| 7 | Temperature Effect Investigation of ۴۵nm Silicon-on-Diamond MOSFET Transistors (دریافت مقاله) | مجله مهندسی برق مجلسی | دوره: 3، شماره: 1 |
| 8 | بدست آوردن رابطه ی ولتاژ آستانه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با طول کانال 22 نانومتر و یک لایه عایق اضافی (دریافت مقاله) | فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران | دوره: 16، شماره: 2 |
| 9 | بررسی و شبیه‌سازی تأثیر میزان غلظت ناخالصی زیرلایه بر زمان تأخیر کلیدزنی در ترانزیستورهای اثر میدان UTBB 22nm سیلیکون روی عایق دولایه (دریافت مقاله) | فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران | دوره: 18، شماره: 1 |
| 10 | رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر (دریافت مقاله) | فصلنامه روش های هوشمند در صنعت برق | دوره: 1، شماره: 4 |
| 11 | کنترل سرعت موتور القایی تغذیه شده با مبدل ماتریسی با ولتاژ ورودی نامتعادل (دریافت مقاله) | فصلنامه روش های هوشمند در صنعت برق | دوره: 2، شماره: 6 |
| 12 | محاسبه ولتاژ آستانه ماسفت سیلیکون روی الماس با عایق دولایه بدنه فوق نازک به روش تحلیلی (دریافت مقاله) | فصلنامه مهندسی برق و الکترونیک ایران | دوره: 21، شماره: 1 |
| 13 | یک مفهوم جدید در طراحی مدارات RF با استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون بر روی عایق (دریافت مقاله) | فصلنامه روش های هوشمند در صنعت برق | دوره: 2، شماره: 8 |
| ردیف | عنوان مقاله | عنوان کنفرانس |
|---|---|---|
| 1 | A Novel Method to Improve Linearity of High Frequency Circuits Designed with PD SOI MOSFET (دریافت مقاله) | نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران |
| 2 | A Novel Silicon on Diamond Structure to Improve Drain Induced Barrier Lowering (دریافت مقاله) | بیست و یکمین کنفرانس مهندسی برق ایران |
| 3 | ارائه مدل سیگنال کوچک ترانزیستور سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه و محاسبه فرکانس قطع (دریافت مقاله) | چهارمین کنفرانس ملی فناوری در مهندسی برق، کامپیوتر |
| 4 | استفاده عملی از کنترلر فازی جهت جایگزینی کنترلر سروو ولوهای هیدرولیکی در مجتمع فولاد مبارکه (دریافت مقاله) | کنفرانس بین المللی تحقیقات بنیادین در مهندسی برق |
| 5 | افزاره نانو سیلیکون روی عایق دولایه جهت بهینه سازی اثرات خودگرمایی وکاهش جریان نشتی (دریافت مقاله) | هفدهمین کنفرانس ملی دانشجویی مهندسی برق ایران |
| 6 | Room Air Temperature Reduction by Using Different Types of Thermal Insulation (دریافت مقاله) | چهارمین کنفرانس ملی مدیریت ساخت و پروژه |
| 7 | Thermal effects analysis and comparison of the 22nm silicon-on-diamond transistor with the similar silicon-on-insulator transistor and reduction of the off current of neighboring transistors (دریافت مقاله) | اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر |
| 8 | بررسی ابعاد مطلوب و روش های استخراج ولتاز آستانه در افزاره 28nm-UTBB SOI (دریافت مقاله) | سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک |
| 9 | بررسی اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده (دریافت مقاله) | پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران |
| 10 | بررسی اثر طول ناحیه اکساید در ترانزیستورهای نسبی سیلیکون روی عایق (دریافت مقاله) | هشتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران |
| 11 | بررسی اثر همشنوایی از طریق بستر در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه (دریافت مقاله) | پنجمین کنفرانس بین المللی پژوهش های کابردی در مهندسی برق مکانیک و مکاترونیک |
| 12 | بررسی اثرات دمایی زیرپایه های سیلیکون روی الماس درپروسه 45nm (دریافت مقاله) | نوزدهمین کنفرانس مهندسی برق ایران |
| 13 | بررسی افزایش جریان نشتی در ترانزیستورهای سیلیکون روی الماس تمام تخلیه (دریافت مقاله) | پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران |
| 14 | بررسی مقاومت بدنه در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده (دریافت مقاله) | دومین کنفرانس ملی مهندسی برق و کامپیوتر |
| 15 | بررسی میزان دوپینگ نوار P در اتصال بدنه I-gate در ترانزیستور سیلیکون روی عایق قسمتی تهی شده (دریافت مقاله) | سومین کنفرانس سراسری مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات |
| 16 | بررسی و محاسبه تیوری ولتاژ شکست حالت روشن در افزاره سیلیکون روی عایق با طول کانال 54 نانومتر (دریافت مقاله) | کنفرانس ملی کاربرد فناوری های نوین در علوم و مهندسی، برق و کامپیوتر و IT |
| 17 | بررسی وابستگی زمانی ولتاژ آستانه ترانزیستور به میزان غلظت ناخالصی زیر لایه در ترانزیستورهای UTBB تمام تخلیه سیلیکون روی عایق (دریافت مقاله) | چهارمین کنفرانس ملی فناوری در مهندسی برق، کامپیوتر |
| 18 | بهبود محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET با مقیاس 45nm نانومتر (دریافت مقاله) | دومین کنفرانس ملی مهندسی برق |
| 19 | تاثیر غلظت زیرلایه بر میزان چگالی الکترون ها در ناحیه ی کانال ترانزیستورهای UTBB تمام تخلیه سیلیکون روی عایق (دریافت مقاله) | سومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق |
| 20 | تاثیر مقاومت بدنه بر بهبود ولتاژ شکست ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق جزئی تهی شده با طول کانال 45 نانومتر (دریافت مقاله) | دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و علوم کامپیوتر |
| 21 | تاثیر مقاومت بدنه بر فرآیند شکست ترانزیستورهای ماسفت نفوذی افقی سیلیکون روی عایق (دریافت مقاله) | کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر |
| 22 | تحلیل و بررسی اثرات دمایی ترانزیستور nm 22 سیلیکون روی الماس ، مقایسه آن با همتا سیلیکون روی عایق و همچنین بررسی تغییرات دمایی ترانزیستورهای کناری (دریافت مقاله) | سومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی پژوهش هایی کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک |
| 23 | ترانسیستور توام تخلیه ی سیلیکوى روی عایق با بدنه و لایه ی نازک اکساید مدفون شده UTBB با طول گیت 22 نانومتر و بررسی عملکرد آن با اعمال بایاس گیت دوم (دریافت مقاله) | کنفرانس بین المللی پژوهش های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر و مهندسی پزشکی |
| 24 | شبیه سازی پروسه ساخت ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه با کاشت دو مرحله ای نواحی سورس و درین (دریافت مقاله) | اولین کنفرانس بین المللی و هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و سیستم های هوشمند |
| 25 | شبیه سازی ترانزیستور 45 نانومتر سیلیکون روی عایق با اتصال بدنه زیر سورس و مقایسه آن با ترانزیستور مرسوم (دریافت مقاله) | پنجمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر با تاکید بر دانش بومی |
| 26 | شبیه سازی سه بعدی و بهبود رسانایی خروجی در ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (SOI) با اتصال بدنه لوزی شکل و طول کانال 45 نانومتر (دریافت مقاله) | دومین کنفرانس ملی مهندسی برق |
| 27 | شبیه سازی نحوه تشکیل کانال در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲ لایه با استفاده از روش کوانتومی و مقایسه آن با روش کلاسیک (دریافت مقاله) | کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق |
| 28 | شبیه سازی ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس ۲لایه با روشهای کوانتومی و مقایسه آن با روشهای کلاسیک و مدلسازی (دریافت مقاله) | کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق |
| 29 | طراحی نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ تمام مجتمع در فرکانس 5 GHz با استفاده از تکنولوژی µmTSMC 0/18 (دریافت مقاله) | دومین همایش ملی مهندسی برق کامپیوتر و فناوری اطلاعات |
| 30 | فرمول تحلیلی تغییرات ولتاژ آستانه در ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه (دریافت مقاله) | کنفرانس بین المللی یافته های نوین پژوهشی درمهندسی برق و علوم کامپیوتر |
| 31 | محاسبه ی تحلیلی ولتاژ آستانه ی افزاره ی سیلیکون بر روی الماس به وسیله مدل خازنی (دریافت مقاله) | پنجمین کنفرانس ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر |
| 32 | مدل ولتاژ آستانه ی ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی (دریافت مقاله) | اولین کنفرانس بین المللی دستاوردهای نوین پژوهشی در مهندسی برق و کامپیوتر |
| 33 | مدلسازی فازی ولتاژ آستانه در ماسفتهای سیلیکون روی الماس دولایه (دریافت مقاله) | چهارمین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و کامپیوتر |
| 34 | نانو ترانزیستور سیلیکون رو یالماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر(DIBL) (دریافت مقاله) | پنجمین کنفرانس ملی مهندسی برق و الکترونیک ایران |
| 35 | ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی (دریافت مقاله) | کنفرانس بین المللی مهندسی برق |
| 36 | یک ساختارجدید افزاره سیلیکون روی عایق دولایه برای بهبود شیب زیرآستانه (دریافت مقاله) | بیستمین کنفرانس مهندسی برق ایران |
کلیه حقوق برای پایگاه فعالان علم و پژوهش ایران محفوظ استsakhtar.com